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di/dt在可控硅工作时注意事项

分类:
公司新闻
作者:
西安瑞新
来源:
http://www.xarxdz.com/
2020/06/24 11:27
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 di/dt--指可控硅通态电流临界上升率。
 
   随着可控硅/晶闸管在各类大功率感应加热电源、变频器、交流开关、电机控制、脉冲功率等领域的应用逐步扩大,越来越多的用户对晶闸管器件提出了较高的电流上升率要求。
   西安瑞新电力电子有限责任公司专业生产可控硅20年,通过优化设计和严格的工艺控制,大大提升了器件的开通临界电流上升率di/dt。经测试,所生产的高频、快速、普通系列可控硅di/dt性能均已达到国外同类产品水平。 
 
  1.晶闸管的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系,di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中,普通晶闸管:Tj≤125°C,高频、快速晶闸管:Tj≤115°C。
 
  2.晶闸管的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力,它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲,可以明显减小器件开通时间和开通损耗,增强器件di/dt承受能力。我们建议的触发脉冲要求为:
 
  触发电流幅值:IGM=4-10IGT
 
  触发电流上升时间:tr小于1μs
 
  3.晶闸管在承受过高的di/dt时,会在其芯片产生局部瞬时高温,这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此,使用者在任何时候,都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值,并且留有一定裕量。
 
  4.晶闸管的di/dt与其开通损耗关系极大,晶闸管高di/dt应用于高频率场合时,需考虑开通损耗上升引起的结温上升,用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。
 
 
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