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没有一个春天不会到来
2022-01-25 15:14:13
疫情刚开始的时候，当时就说过，西安终会迎来太平，而现在这个结果有我们每个人的贡献，每个人都是平凡的英雄，2021年12月23日0时西安宣布封城，我们正式于病毒做抗争，居家办公隔离。疫情肆虐，风刺骨，滴水成冰，雪花漫天飞舞，政府为我们送来暖心，米面油，菜。
相对我们的居家隔离来说，我们白衣战士冒着严寒，被感染的风险毫无畏惧，冲锋陷阵，每个社区里面由居民自发组织的志愿者团队为人民服务。有很多的人很多的事关乎责任，关乎担当，关乎大义，关乎智慧，关乎能力，关乎情怀，是一个个生动的面孔，恕我笔拙，无法一一述之纸端。
总得来说这段经历将载入西安政府抗疫道路上的一段不可磨灭记忆，一段为了西安人民奋战的光辉岁月，岁月静好，盛世长安。
最后，至此2022年新春佳节来临之际，西安瑞新祝愿新老客户万事如意，阖家团圆！
2022年1月25日星期二
西安瑞新厂区设备大升级
2021-12-01 16:52:16
晶闸管开关or接触器，各适用于什么场合？
2021-11-16 16:02:24
今天小编今天将重点为大家介绍一下这两种投切开关各适用于什么样的场合？什么样的负载？有什么样的规律？一起来了解！
哪种工况的无功补偿最好搭配晶闸管开关？
晶闸管是专门为电力电容器动态快速补偿设计的投切开关，具备接触器和复合开关所不可取代的功能。
其跟随速度快，可以实现电压过零接触，电流过零断开，不会产生合闸涌流，还可以有效补偿冲击性电流……
因此，晶闸管开关也更加适合汽车工业、电炉工业、港机工业等负荷变化较大的场所，适用于电焊机、电梯、港口行吊、变频炉等冲击性负载。
对于这些快速变化现场所使用的负载来说，他们运行期间的无功负荷是在不断变化的。换句话来说，对于运行时感性负荷不稳定且变化较快的负载和场合应首选晶闸管投切。
此外，对于需要频繁投切、每次运行时间都较短的设备也建议首选晶闸管开关。其可以实现快速过零投切，避免冲击电流对设备的影响，保护电容器和相关设备安全稳定，而这些都是复合开关和接触器所实现不了的。
哪种场合更适合选用接触器？
由于接触器的自身通断功能以及价格实惠的优势，其被广泛用于自动补偿的无功补偿设备之中。
但接触器非常不适合适用于负荷变化较大的场合，因为接触器只能通过限流电阻来降低电流冲击，降低损坏率，不能有效抵御合闸涌流。
除此之外，投资不高且对无功补偿响应速度没什么要求的工况场合可选择使用接触器。
此文章来自：库里库伯电气
可控硅和固态继电器的区别是什么？
2021-11-03 14:56:22
那么他们的区别到底在那呢？总不会一个东西，两个名字吧？他们的区别就在于，可控硅就是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。
固态继电器只是相当于一个开关，不能调节电流。可控硅能控制其导通角，能调节电流的大小。
固态继电器其实也是以可控硅为主要部件而制作的，所不同的是，固态继电器动作电压与控制电压通过内部电路例如光耦进行分离的，如果你觉的好奇的话我建议你拆一个固态继电器看看内部，如果你稍懂是电路知识，你完全可以按照里面的电路进行自制一个，呵呵！其实也不是难事，只不过少了一个漂亮的外壳罢了！
可控硅可以是单向的，也可以是双向的，可以过零触发也可以移相触发，固态继电器同样是如此的。所以，他们的用途、形式都有一样类型产品，从这一点上（使用的形式、性质角度）没有区别，因为固态继电器也是可控硅做的（三极管的固态继电器除外）。
那么他们的区别到底在那呢？总不会一个东西，两个名字吧？他们的区别就在于，可控硅就是可控硅，固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。这就是区别。
现在有一种叫“智能化可控硅模块”，他把可控硅元件、同步触发驱动做在一个模块里了，这种可控硅与固态继电器已经无法区分了。当然，从形状上可以区分。
可控硅的工作原理及基本特性
1、工作原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示
当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化。
状态 条件 说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
两者缺一不可
维持导通 1、阳极电位高于阴极电位 2、阳极电流大于维持电流 两者缺一不可
从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位 2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可
2、基本伏安特性
（1）反向特性
当控制极开路，阳极加上反向电压时，J2结正偏，但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
（2）正向特性
当控制极开路，阳极上加上正向电压时，J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，。
3、触发导通
在控制极G上加入正向电压时（见图5）因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。
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