新闻中心 / NEWS
资讯列表
电机温度超过多少会被烧坏
2021-06-22 15:20:41
一般来说电机绝缘等级如果是A级，环境温度40℃，那么电机的外壳温度应该小于60℃。
电机各部位的温度限度
(1) 与绕组接触的铁心温升(温度计法)应不超过所接触的绕组绝缘的温升限度(电阻法)，即A级为60℃，E级为75℃，B级为80℃，F级为100℃，H级为125℃。
(2) 滚动轴承温度应不超过95℃，滑动轴承的温度应不超过80℃。因温度太高会使油质发生变化和破坏油膜。
(3) 机壳温度实践中往往以不烫手为准。
(4) 鼠笼转子表面杂散损耗很大，温度较高，一般以不危及邻近绝缘为限。可预先刷上不可逆变色漆来估计。
电机的温度与温升
衡量电机发热程度是用“温升”而不是用“温度”，当“温升”突然增大或超过最高工作温度时，说明电机已发生故障。
来源：电力电子网
西安瑞新6月份订单雨来袭
2021-06-15 15:51:12
在这个日子中瑞新迎来了节后的第一笔订单，ZPC8000A/16,大功率整流管，在瑞新车间的完美配合之下有序完成。给大家欣
赏一下元件：
更多晶闸管，可控硅详情敬请期待哦！
简述可控硅工作原理以及使用方法
2021-06-08 16:00:57
阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通)。
控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。
若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极(G)。
1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动(R×1挡)，可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。
2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。
对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧(视可控硅电流大小、厂家不同而异)。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压(或电流)小。
若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。
对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.
成立新公司+打磨6.0芯片，比亚迪半导体聚焦IGBT领域
2021-06-01 15:12:03
△Source：国家企业信用信息公示系统截图
工商信息显示，西安比亚迪半导体注册资本100万元，法定代表人陈刚，经营范围包括半导体分立器件制造；半导体照明器件制造；半导体照明器件销售；半导体分立器件销售；电子元器件制造；显示器件制造；安防设备制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片设计及服务；显示器件销售；集成电路芯片及产品销售等。
根据企查查资料，西安比亚迪半导体由比亚迪半导体股份有限公司（以下简称“比亚迪半导体”）100%持股。除了西安比亚迪半导体外，比亚迪半导体还注册成立了宁波比亚迪半导体有限公司、长沙比亚迪半导体有限公司、广东比亚迪节能科技有限公司，而这几家公司的法定代表人也均为陈刚。
△Source：企查查资料截图
资料显示，比亚迪半导体成立于2004年10月，主营业务为功率半导体、智能控制IC、智能传感器及光电半导体的研发、生产及销售。截止2020年底，比亚迪半导体以IGBT为主的车规级功率器件累计装车超过100万辆，单车行驶里程超过100万公里。
据媒体此前报道，比亚迪半导体西安研发中心即将启用，与此同时，继2018年在宁波发布IGBT4.0芯片技术之后，比亚迪半导体打磨出了一款更高性能的IGBT6.0芯片，并计划于西安研发中心全新发布。
值得一提的是，比亚迪半导体作为比亚迪旗下控股子公司，正在筹划将其分拆至深交所创业板上市。
此文来源全球半导体观察
上一页
1
2
...
26
下一页
电话：029-85454169
QQ：1018930861
地址：西安市电子西街3号西京三号
产品咨询