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电子元器件参数及电压参数的定义
2023-08-29 14:30:33
1、器件参数
1.1 电流参数
1.1.1 通态平均电流IT(AV) ：可控硅元件的稳定电流值。单位：A
1.1.2 正向平均电流IF(AV) :整流管的额定电流值。单位：A
2.2 电压参数
2.2.1 通态峰值电压VTM （可控硅）：单位V
VTM 和测试电流ITM 相关 ，一般数值范围1V到几伏不等。
相同测试电流ITM 下，VTM 越小元件的过流能力越强。
2.2.2 正向峰值电压VFM (整流管)：单位：V
VFM和测试电流ITM 相关，一般数值范围0.7-几伏不等。
相同测试电流ITM 下，VFM 越小元件的过流能力越强。
2.3 通态平均电压VT(VF) : 单位：V
指全动态测试时期间的压降值，一般在0.45V-0.8V。
2.4 反向不重复峰值电压 VRSM 单位：V
指元件的转折电压
2.5 反向重复峰值电压 VRRM 单位：V
指元件的额定电压值
3000V以内 VRRM =0.9 VRSM
3000V以上 VRRM = VRSM -100
2.6 断态不重复峰值电压 VDSM 单位：V
指元件的正向转折电压
2.7 断态峰值电压 VDRM 单位：V
指元件的额定电压值
3000V 以内 VDRM =0.9 VDSM
3000V以上 VDRM = VDSM - 100
2.8 可控硅的阴控电阻RKG 单位：Ω 典型值：5-40 Ω
2.9 门极电压：VG 单位：V 典型值： 0.7-4V
门极电流：IG 单位：A 典型值：15-400mA
指可控硅开通的最小电压和电流值。
2.10 电路换向关断时间 tg 单位：us
一般快速和高频元件的tg是一个关键参数，关断时间和频率的对应关系：
工频指 50HZ或60HZ，普通可控硅可满足
中频指60HZ—1500HZ，tg ：20-150 us
亚高频指 1500HZ- 4000HZ，tg 12-20us
高频指 4000HZ- 20000HZ， tg:8us以内。
超高频率：20000HZ 需特种器件实现
器件使用现场发热严重的原因及处理
2023-08-22 14:33:30
器件发热的原因有三种：
1.1器件选择时电流额定偏小；属选型问题，需改动设计并更换设计要求电流的器件；
1.2使用的器件质量差达不到标称电流值或器件厂家电流虚标；需要求供应厂家更换合格产品；
1.3安装及外围系统问题：如铜排的连接，水路，水压及水的流速，风道风速，散热器台面的平整度，安装紧固力等等。
安装及外围系统问题的排查处理：
2.1外围铜排的连接：铜排接触面必须平整光亮，无碳化和污染情况，确保可靠接触，紧固螺丝必须拧紧；避免接触不良或紧固力不足引起的铜排发热传导，导致散热器温度过高，影响器件使用。
2.2长期使用或经常更换器件造成散热器台面平整度差或产生凹陷损伤，导致散热器和器件之间接触压降明显增加导致大量发热，器件和散热器均发热严重；必须整修台面平整度或更换散热片。
2.3安装紧固力必须按厂家要求（可向厂家索取），紧固力不够会导致器件和散热器均发热严重，现场必须检查紧固力。
2.4器件使用风冷散热器方式的，检查风道及风速是否达标，是否真正起作用。
2.5器件使用水冷散热器方式的，检查水的压力，流速及水腔内是否结水垢，确保压力足够，流速正常，无水垢，散热器正常工作。
发热原因的判断方法：
3.1器件工作5分钟后测器件陶磁环和散热体表面温度，两个温度值接近，说明散热器正常工作。
3.2器件工作5分钟后测器件陶磁环和散热体表面温度，器件陶磁环的温度高于散热体表面温度，说明散热器的效果不好需进行处理；
3.3器件工作5分钟后测器件陶磁环和散热体表面温度，散热体表面温度高于器件陶磁环的温度，说明器件工作正常而系统外围连接或散热器的安装有问题需处理。
如何给整流晶闸管元件选择阻容吸收？
2023-08-15 15:22:43
1、电容的选择：
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF
选用2.5μF，1kv的电容器
2、电阻的选择：
R=((2-4)×535)/If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u-三相电压的有效值
3、中频电源的过电流和过电压的保护
中频电源装置的主电路采用晶闸管半导体器件，这类器件承受过电压，过电流的能力很差，而中频电源的运行情况比较复杂，负载变化剧烈，出现短路，开路，过电压，过电流的几率较高，必须采取妥善保护措施，以确保装置安全运行.
晶闸管中频电源的过流过压保护，一种是在适当的地方安装保护器件如在工频电源进线侧安装RC吸收电路，用以抑制由外电路涌入中频电源的雷击过电压和操作过电压，在晶闸管上串接快速熔短器用以保护过电流对晶闸管的损坏，另一种是检测中频电源的输出电压和输入电流，当电压或电流超过允许值时借助整流触发控制系统使整流桥工作于有源逆变状态，或封锁整流输出脉冲使整流桥输出电压为零.
晶闸管制作工艺流程
2023-08-08 14:49:17
1、 常规工艺流程
单品硅片清洗 → 扩散 → 光刻 → 扩散 → 烧结 → 镀膜 → 合金化 → 台面选型 → 保护 → 封装
2、 工艺名称说明
2.1 单晶硅片清洗：采用超声清洗去油及有机物杂质，用化学试剂加热去除金属离子及油性杂质。
2.2 扩散：在高温下引入正负电荷杂质，改变杂质浓度或单品硅的类型。
2.3 光刻：给氧化层或铝层做图形实现选择性扩散或去除不需铝的区域上的铝膜。
2.4 烧结：在高温下实现硅片和铜片的合金化。
2.5 镀膜：用真空镀膜设备在硅片上镀一层铝。
2.6 合金化：在真空下实现硅片和铝层的合金化结合。
2.7 台面造型：通过在芯片外围上造型实现器件的电压特性。
2.8 保护：用有机保护材料对台面做保护，保证器件电特性的稳定。
2.9 封装：将芯片封到外壳中。
所以，就这样一只元件诞生了，但是还没有完，送到客户手上，至少还要经过不少于19项的电气参数的专业检测，瑞新的出厂元件均对应唯一的可追溯编码，确保留档参数明晰可查。
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