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西安瑞新电力电子有限责任公司

XI'AN RUIXIN POWER ELECTRONICS CO., LTD.

　　西安瑞新电力电子有限责任公司创建于1999年，地处历史悠久的古都西安，是一家专门从事电力电子半导体产品研发、生产、销售为一体的企业；
      公司有多位半导体器件高级工程师和国内著名专家级顾问，除产品的技术和工艺设计外，多次成功配合军工产品的选型、试验，在替代国外产品方面也有多项案例；全体瑞新人将秉承倾力打造最具行业公信力、最受社会欢迎的半导体设备制造商。

  • 产品名称 MT系列晶闸管/晶闸管模块
  • 产品名称 MD系列整流管/整流管模块
  • 产品名称 ZP螺栓型普通整流二极管
  • 产品名称 KP螺栓型普通晶闸管
过压保护用氧化锌压敏电阻该怎么选呢？
过压保护用氧化锌压敏电阻该怎么选呢？

过压保护用氧化锌压敏电阻该怎么选呢？
压敏电阻相对受保护的可控硅电子元件而言，具有很高的阻抗(数兆欧姆)，瞬间过压发生时(超过压敏电阻击穿电压)，压敏电阻阻抗会变得仅有几个欧姆，造成短路，保险丝熔断，负载上的电子元件因此而受到保护。主要用途：防雷，过压保护。
晶闸管的阴极、阳极和触发极的检测方法是什么？
晶闸管的阴极、阳极和触发极的检测方法是什么？

晶闸管的阴极、阳极和触发极的检测方法是什么？
判别各电极根据普通晶闸管的结构可知，其门极G与阴极K极之间为一个PN结，具有单向导电特性，而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此，通过用万用表R×100A或R×1k档测量普通晶闸管各引脚之间的电阻值，即能确定三个电极。
IGBT究竟是什么呢？
IGBT究竟是什么呢？

IGBT究竟是什么呢？
IGBT绝缘栅双极型晶闸管，是由BJT(双极型三极管)和OS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
MTC晶闸管模块烧坏原因分析
MTC晶闸管模块烧坏原因分析

MTC晶闸管模块烧坏原因分析
晶闸管模块属于硅元件，硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会发生烧坏晶闸管模块的现象。瑞新小编带您一起看看晶闸管模块烧坏的真实原因：

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