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西安瑞新电力电子有限责任公司

XI'AN RUIXIN POWER ELECTRONICS CO., LTD.

  西安瑞新电力电子有限责任公司创建于1999年,地处历史悠久的古都西安,是一家专门从事电力电子半导体产品研发、生产、销售为一体的企业;
      公司有多位半导体器件高级工程师和国内著名专家级顾问,除产品的技术和工艺设计外,多次成功配合军工产品的选型、试验,在替代国外产品方面也有多项案例;全体瑞新人将秉承倾力打造最具行业公信力、最受社会欢迎的半导体设备制造商。

  • 产品名称 KP螺栓型普通晶闸管
  • 产品名称 MT系列晶闸管/晶闸管模块
  • 产品名称 MD系列整流管/整流管模块
  • 产品名称 ZP螺栓型普通整流二极管
西安瑞新厂区设备大升级
西安瑞新厂区设备大升级
    2021年后半年经济新常态下行压力持续加大,尤其是实体工厂发展面临多重困难。西安瑞新上层领导就公司发展提出了更高要求,核心就是要坚持稳中求进的工作步调,建设一流科技创新型企业,实现更高质量和效益发展。为落实这一思想,西安瑞新于下半年11月份总结今年厂区生产经验,就不足做出整改。将西安瑞新现有元件测试设备全面升级,新添入超净无尘测试台,增加员工全面素质培训,为2022年产品质量及公司发展打下坚定基础。         
晶闸管开关or接触器,各适用于什么场合?
晶闸管开关or接触器,各适用于什么场合?
在此前的文章中,小编为大家详细介绍了晶闸管开关以及接触器在运行使用时的那些不可忽略的优势与劣势(接触器VS晶闸管开关,选哪个?)。 今天小编今天将重点为大家介绍一下这两种投切开关各适用于什么样的场合?什么样的负载?有什么样的规律?一起来了解! 哪种工况的无功补偿最好搭配晶闸管开关? 晶闸管是专门为电力电容器动态快速补偿设计的投切开关,具备接触器和复合开关所不可取代的功能。     其跟随速度快,可以实现电压过零接触,电流过零断开,不会产生合闸涌流,还可以有效补偿冲击性电流…… 因此,晶闸管开关也更加适合汽车工业、电炉工业、港机工业等负荷变化较大的场所,适用于电焊机、电梯、港口行吊、变频炉等冲击性负载。     对于这些快速变化现场所使用的负载来说,他们运行期间的无功负荷是在不断变化的。换句话来说,对于运行时感性负荷不稳定且变化较快的负载和场合应首选晶闸管投切。     此外,对于需要频繁投切、每次运行时间都较短的设备也建议首选晶闸管开关。其可以实现快速过零投切,避免冲击电流对设备的影响,保护电容器和相关设备安全稳定,而这些都是复合开关和接触器所实现不了的。 哪种场合更适合选用接触器? 由于接触器的自身通断功能以及价格实惠的优势,其被广泛用于自动补偿的无功补偿设备之中。 但接触器非常不适合适用于负荷变化较大的场合,因为接触器只能通过限流电阻来降低电流冲击,降低损坏率,不能有效抵御合闸涌流。 除此之外,投资不高且对无功补偿响应速度没什么要求的工况场合可选择使用接触器。 此文章来自:库里库伯电气
可控硅和固态继电器的区别是什么?
可控硅和固态继电器的区别是什么?
之前有很多客户来咨询固态继电器,可能以为和我们的可控硅是一样的,今天小编就和大家聊聊可控硅和固态的区别: 那么他们的区别到底在那呢?总不会一个东西,两个名字吧?他们的区别就在于,可控硅就是可控硅,固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。 固态继电器只是相当于一个开关,不能调节电流。可控硅能控制其导通角,能调节电流的大小。    固态继电器其实也是以可控硅为主要部件而制作的,所不同的是,固态继电器动作电压与控制电压通过内部电路例如光耦进行分离的,如果你觉的好奇的话我建议你拆一个固态继电器看看内部,如果你稍懂是电路知识,你完全可以按照里面的电路进行自制一个,呵呵!其实也不是难事,只不过少了一个漂亮的外壳罢了!    可控硅可以是单向的,也可以是双向的,可以过零触发也可以移相触发,固态继电器同样是如此的。所以,他们的用途、形式都有一样类型产品,从这一点上(使用的形式、性质角度)没有区别,因为固态继电器也是可控硅做的(三极管的固态继电器除外)。 那么他们的区别到底在那呢?总不会一个东西,两个名字吧?他们的区别就在于,可控硅就是可控硅,固态继电器则是可控硅+同步触发驱动。这就是区别。 现在有一种叫“智能化可控硅模块”,他把可控硅元件、同步触发驱动做在一个模块里了,这种可控硅与固态继电器已经无法区分了。当然,从形状上可以区分。 可控硅的工作原理及基本特性   1、工作原理    可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图1所示     当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。    由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。    由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化。      状态 条件 说明   从关断到导通  1、阳极电位高于是阴极电位   2、控制极有足够的正向电压和电流   两者缺一不可   维持导通 1、阳极电位高于阴极电位  2、阳极电流大于维持电流  两者缺一不可   从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位  2、阳极电流小于维持电流  任一条件即可    2、基本伏安特性    (1)反向特性    当控制极开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。      (2)正向特性    当控制极开路,阳极上加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压     由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性。    这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,。   3、触发导通    在控制极G上加入正向电压时(见图5)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。 
温度对晶闸管工作特性的影响
温度对晶闸管工作特性的影响
        半导体单晶硅对周围温度的变化十分敏感,例如它的电阻率随着温度变化而变化。当单晶硅制成晶闸管后,晶闸管的各项参数也随温度变化而变化。虽说在较宽的温度范围内晶闸管均能正常工作,但他的参数确实发生了变化。   温度对晶闸管参数变化的影响是有规律的,掌握了这个规律一是能在选用适合自己线路特点的晶闸管时提高主动性;二是在应用中能及时发现故障原因,因为违反这个规律的晶闸管应该是有缺陷的不良品。   一、 温度对正反向耐压和漏电流的影响   随着环境温度升高,晶闸管正反向耐压,即击穿电压会有所提高,同时漏电流增加,见 (图一)。若温度升高耐压降低,则应该是“不良品”。漏电流随温度升高而增加幅度很大,结温125℃时要比室温时增加约百倍数量级,如某规格晶闸管室温时漏电流为0.05毫安,125℃时要达到几十个毫安甚至更大的数量级。 图一 温度与反向耐压和漏电流关系图   二、 温度对门极触发电流的影响   晶闸管工作在允许结温125℃时,称为高温状态。此时漏电流增加,又加上   PN结内少子寿命随温度升高而升高,放大系数随之增加。这两点导致门极触发电流随温度升高而下降,至高温状态工作时,已远比室温时为小。为避免过小的触发功率导致误触发,标准规定了“不触发电压”、“不触发电流”等项目,必须要大于此值时晶闸管才能触发,否则为不合格。应该注意,出厂时,门极电流是在室温条件下、阳极电压为6V时的测试值。而实用时为高温高压,此时因触发电流变小导致易触发导通。   三、 温度对开关时间的影响   开关时间包括开通与关断两个时间。温度对开通时间影响不大,但对关断时间影响很大,如 (图二) 所示。所以标准规定关断时间测量必须在高温条件下进行。高温测试关断时间比室温测试要增至1.5到2倍。导通时,PN结两边积累了携带电荷流动的“少数载流子”简称“少子”,关断过程是一个电荷消失的过程,此时间长短称为“关断时间”,是与“少子寿命”有关。少子寿命随温度升高而增加,积累的电荷消失更为不易,关断过程加长,“关断时间”增加。   图二 温度与关断时间关系曲线图   四、 温度对dv/dt的影响   线路中,过高的dv/dt会导致晶闸管导通。触发电流偏小的晶闸管承受dv/dt能力相应也弱。同样,温度升高触发电流变小,晶闸管承受dv/dt能力相应下降。标准规定晶闸管必须在高温条件下进行dv/dt的测试。   图三 维持电流与温度关系曲线图   五、 温度对维持电流的影响   维持电流是温度的函数。随温度升高而减小,而且变化的幅度较大。应用者在使用时,应加以充分考虑,见(图三)。出厂提供的维持电流是在室温时测出的。   六、 温度对通态特性的影响   温度升高晶闸管的通态压降减小。人们利用晶闸管的这个特性进行“结温”测试。先找出温度与某种晶闸管通态压降的关系曲线。反之,测出该种晶闸管工作时通态压降,就能在关系曲线上找到相应的温度值,此温度即为此时的芯片结温。 此文章来源:中国电力电子产业网讯

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